Messung SG 1/1-Bridge (Vollbrücke) 4/6-Leiter-Anschluss
Zur Ermittlung des Messfehlers:
Der Messbereich nominell/technisch wird hier in „mV/V“ angegeben, wobei eine maximale Versorgungsspannung von 5 V zulässig ist.
Maximal ist also für die Brückenspannung ein nomineller Messbereich von ±32 mV/V ⋅ 5V = ±160 mV nutzbar, entsprechend sind die internen Schaltungen ausgelegt.
Die interne Messung erfolgt ratiometrisch, d.h. die Speise- und die Brückenspannung werden nicht absolut gemessen sondern als Verhältnis erfasst.
Zur Speisung kann die integrierte Versorgung genutzt werden. Eine externe Versorgung ist zulässig wenn 5 V nicht überstiegen werden.
Die Übergangswiderstände der Klemmkontakte beeinflussen den Messvorgang. Durch einen anwenderseitigen Abgleich bei gesteckter Signalverbindung kann der Messfehler weiter reduziert werden.
Zur Berechnung der Vollbrücke:

Der Zusammenhang zur Dehnung (µStrain, µε) ist wie folgt:

Hinweis: Angaben gelten für 2,5 V DMS Erregung.
Messung Modus | SG 1/1-Bridge | |
---|---|---|
Messbereich, nominell | -32…+32 mV/V | |
Messbereich, Endwert (MBE) | 32 mV/V | |
Messbereich, technisch nutzbar | -34,359…+34,359 mV/V | |
PDO Auflösung | 24 Bit (inkl. Vorzeichen) | |
PDO LSB (Extended Range) | 4,096 nV/V | |
PDO LSB (Legacy Range) | 3,814.. nV/V | |
Grundgenauigkeit: Messabweichung bei 23°C, mit Mittelwertbildung (2 | 4-Leiter-Anschluss: ±0,09%MBE = ±900 ppmMBE typ. 6-Leiter-Anschluss: ±0,05%MBE = ±500 ppmMBE typ. | |
Integrierte Speisung | 0,5…5V Einstellbar, Max. Versorgung/Excitation 21 mA (interne elektronische Überlastsicherung) somit
| |
Temperaturkoeffizient | TkTerminal | < 20 ppm/K typ. |
2) Dominierender Anteil der Grundgenauigkeit ist die Offset-Spezifikation (siehe folgende Tabellen). Durch Offset-Korrektur gemäß Kapitel Offset Korrektur kann dieser Anteil eliminiert und die Messgenauigkeit erheblich gesteigert werden.
Messung Modus | SG 1/1-Bridge (4-Leiter) | ||||
---|---|---|---|---|---|
Offset/Nullpunkt-Abweichung (bei 23°C) | FOffset | < 850 [ppmMBE] | |||
Gain/Scale/Verstärkungs-Abweichung (bei 23°C) | FGain | < 200 [ppm] | |||
Nichtlinearität über den gesamten Messbereich | FLin | < 120 [ppmMBE] | |||
Wiederholgenauigkeit | FRep | < 15 [ppmMBE] | |||
Rauschen (ohne Filterung) | FNoise, PtP | < 320 [ppmMBE] | < 2500 [digits] | ||
FNoise, RMS | < 56 [ppmMBE] | < 438 [digits] | |||
Max. SNR | > 85 [dB] | ||||
Rauschdichte@1kHz | < 25,34 | ||||
Rauschen (mit 50 Hz FIR Filter) | FNoise, PtP | < 18 [ppmMBE] | < 141 [digits] | ||
FNoise, RMS | < 3,5 [ppmMBE] | < 27 [digits] | |||
Max. SNR | > 109,1 [dB] | ||||
Gleichtaktunterdrückung (ohne Filter)3 | DC: | 50 Hz: | 1 kHz: | ||
Gleichtaktunterdrückung (mit 50 Hz FIR Filter)3 | DC: | 50 Hz: | 1 kHz: | ||
Größte kurzzeitige Abweichung während einer festgelegten elektrischen Störprüfung | ±0,1%MBE = ±1000 ppmMBE typ. | ||||
Eingangsimpedanz ±Input 1 (Innenwiderstand) | Differentiell typ. 4,1 MΩ || 11 nF | ||||
CommonMode typ. 1 MΩ || 40 nF Methodik: Widerstand gegen –UV, Kapazität gegen SGND | |||||
Eingangsimpedanz ±Input 2 | Eingang wird in diesem Modus nicht benutzt |
3) Werte beziehen sich auf eine Gleichtaktstörung zwischen SGND und internem GND.
Messung Modus | SG 1/1-Bridge (6-Leiter) | ||||
---|---|---|---|---|---|
Offset/Nullpunkt-Abweichung (bei 23°C) | FOffset | < 470 [ppmMBE] | |||
Gain/Scale/Verstärkungs-Abweichung (bei 23°C) | FGain | < 120 [ppm] | |||
Nichtlinearität über den gesamten Messbereich | FLin | < 120 [ppmMBE] | |||
Wiederholgenauigkeit | FRep | < 15 [ppmMBE] | |||
Rauschen (ohne Filterung)4 | FNoise, PtP | < 230 [ppmMBE] | < 1797 [digits] | ||
FNoise, RMS | < 38 [ppmMBE] | < 297 [digits] | |||
Max. SNR | > 88,4 [dB] | ||||
Rauschdichte@1kHz | < 17,2 | ||||
Rauschen (mit 50 Hz FIR Filter)4 | FNoise, PtP | < 18 [ppmMBE] | < 141 [digits] | ||
FNoise, RMS | < 3,5 [ppmMBE] | < 27 [digits] | |||
Max. SNR | > 109,1 [dB] | ||||
Gleichtaktunterdrückung (ohne Filter)3 | DC: | 50 Hz: | 1 kHz: | ||
Gleichtaktunterdrückung (mit 50 Hz FIR Filter)3 | DC: | 50 Hz: | 1 kHz: | ||
Größte kurzzeitige Abweichung während einer festgelegten elektrischen Störprüfung | ±0,1%MBE = ±1000 ppmMBE typ. | ||||
Eingangsimpedanz ±Input 1 (Innenwiderstand) | Differentiell typ. 4,1 MΩ || 11 nF | ||||
CommonMode typ. 1 MΩ || 40 nF Methodik: Widerstand gegen –UV, Kapazität gegen SGND | |||||
Eingangsimpedanz ±Input 2 (Innenwiderstand) | Differentiell typ. 5 MΩ || 10 nF | ||||
CommonMode typ. 1,25 MΩ || 40 nF Methodik: Widerstand gegen –UV (+2,5V), Kapazität gegen SGND |
3) Werte beziehen sich auf eine Gleichtaktstörung zwischen SGND und internem GND.
4) Angaben gelten nur für HW-Stand ≥ 10! Folgende Angaben gelten bis HW-Stand 10:
Messung Modus | SG 1/1-Bridge (6-Leiter), < HW10 | ||
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Rauschen (ohne Filterung) | FNoise, PtP | < 960 [ppmMBE] | < 7500 [digits] |
FNoise, RMS | < 170 [ppmMBE] | < 1328 [digits] | |
Max. SNR | > 75,4 [dB] | ||
Rauschdichte@1kHz | < 76,93 | ||
Rauschen (mit 50 Hz FIR Filter) | FNoise, PtP | < 77 [ppmMBE] | < 602 [digits] |
FNoise, RMS | < 15 [ppmMBE] | < 117 [digits] | |
Max. SNR | > 96,5 [dB] |
Die Interpretation des Kanalwerts (PDO) ist direkt [mV/V]:
